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IRF6635TRPBF Infineon Technologies AG 승인 된 리소스 및 경쟁력있는 가격

  • IRF6635TRPBF - Infineon Technologies AG - MOSFET
  • IRF6635TRPBF - Infineon Technologies AG - MOSFET


이미지는 참조 용입니다
제품 사양 참조
부품 번호:
IRF6635TRPBF데이터 시트
Worldway모형:
IRF6635TRPBF-133396
제조사:
Infineon Technologies AG
범주:
MOSFET
응용:
자동차 차체 및 조명 통신 장비 무선 인프라 산업 기구
기술:

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

패키지 / 케이스:
DirectFET™ Isometric MX
장치 패키지:
DIRECTFET™ MX
RoHS:
무연 / RoHS 준수
재고 카테고리:
재고
재고 자원:
공장 초과 재고 / 프랜차이즈 유통 업체
보증:
1 년 월드 웨이 보증 » 더 알아보기
EDA / CAD 모델:
IRF6635TRPBF PCB 풋 프린트 및 심볼
배달:
배달
화물 계산:
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IRF6635TRPBF(Infineon Technologies AG) 명세서
  • 제조업체 부품 번호 :

    IRF6635TRPBF

  • Pbfree 코드 :

    Yes

  • Rohs 코드 :

    Yes

  • 부품 수명주기 코드 :

    Transferred

  • IHS 제조업체 :

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • 패키지 설명 :

    ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

  • 핀 수 :

    3

  • 규정 준수 코드 도달 :

    unknown

  • ECCN 코드 :

    EAR99

  • 제조사 :

    International Rectifier

  • 위험 등급 :

    7.6

  • 눈사태 에너지 등급 (Eas) :

    200 mJ

  • 케이스 연결 :

    DRAIN

  • 구성 :

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • DS 항복 전압-최소 :

    30 V

  • 최대 드레인 전류 (Abs) (ID) :

    180 A

  • 최대 드레인 전류 (ID) :

    32 A

  • 저항 최대의 드레인 소스 :

    0.0018 Ω

  • FET 기술 :

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • JESD-30 코드 :

    R-XBCC-N3

  • JESD-609 코드 :

    e4

  • 수분 감도 수준 :

    3

  • 요소 수 :

    1

  • 터미널 수 :

    3

  • 작동 모드 :

    ENHANCEMENT MODE

  • 작동 온도-최대 :

    150 °C

  • 패키지 본체 재질 :

    UNSPECIFIED

  • 패키지 모양 :

    RECTANGULAR

  • 패키지 스타일 :

    CHIP CARRIER

  • 최고 리플로 온도 (Cel) :

    260

  • 극성 / 채널 유형 :

    N-CHANNEL

  • 최대 전력 손실 (Abs) :

    89 W

  • 펄스 드레인 전류-최대 (IDM) :

    250 A

  • 자격 상태 :

    Not Qualified

  • 하위 범주 :

    FET General Purpose Power

  • 표면 실장 :

    YES

  • 터미널 마감 :

    Silver/Nickel (Ag/Ni)

  • 터미널 형태 :

    NO LEAD

  • 터미널 위치 :

    BOTTOM

  • Time @ Peak 리플로 온도-최대 (s) :

    30

  • 트랜지스터 응용 :

    SWITCHING

  • 트랜지스터 소자 재료 :

    SILICON

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Part # Manufacturer Description Stock Price
IRF6635TRPBF DISTI # IRF6635TRPBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET RoHS: Compliant Min Qty: 4800 Container: Tape & Reel (TR) Limited Supply - Call  
IRF6635TRPBF DISTI # IRF6635TRPBFCT-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT) Limited Supply - Call  
IRF6635TRPBF DISTI # IRF6635TRPBFDKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel® Limited Supply - Call  
Part # Manufacturer Description Stock Price
IRF6635TRPBF DISTI # 91Y4739
Infineon Technologies AG MOSFET, N-CH, 30V, 180A, DIRECTFET MX, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0013ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V, Power RoHS Compliant: Yes 0  
Part # Manufacturer Description Stock Price
IRF6635TRPBF DISTI # 70019575
Infineon Technologies AG A 30V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A DIRECTFET MX PACKAGE RATED AT 18 RoHS: Compliant 0
  • 4800 $2.0140
  • 9600 $1.9740
  • 24000 $1.9130
Part # Manufacturer Description Stock Price
IRF6635TRPBF DISTI # 942-IRF6635TRPBF
Infineon Technologies AG MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS: Compliant 0  
Part # Manufacturer Description Stock Price
IRF6635TRPBF DISTI # 2579982
Infineon Technologies AG MOSFET, N-CH, 30V, 180A, DIRECTFET MX RoHS: Compliant 0
  • 1 $6.8600
  • 10 $6.1400

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