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IS42S16160D-75ETLI Integrated Silicon Solution Inc 승인 된 리소스 및 경쟁력있는 가격

  • IS42S16160D-75ETLI - Integrated Silicon Solution Inc - 적은 양
  • IS42S16160D-75ETLI - Integrated Silicon Solution Inc - 적은 양


이미지는 참조 용입니다
제품 사양 참조
부품 번호:
IS42S16160D-75ETLI데이터 시트
Worldway모형:
IS42S16160D-75ETLI-312194
제조사:
Integrated Silicon Solution Inc
범주:
적은 양
응용:
통신 장비 무선 인프라 엔터프라이즈 시스템 엔터프라이즈 머신 개인 전자 제품 휴대용 전자 제품
기술:

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

꾸러미:
TSOP2(54)
패키지 / 케이스:
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
장치 패키지:
54-TSOP II
RoHS:
무연 / RoHS 준수
재고 카테고리:
재고
재고 자원:
공장 초과 재고 / 프랜차이즈 유통 업체
보증:
1 년 월드 웨이 보증 » 더 알아보기
EDA / CAD 모델:
IS42S16160D-75ETLI PCB 풋 프린트 및 심볼
배달:
배달
화물 계산:
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IS42S16160D-75ETLI(Integrated Silicon Solution Inc) 명세서
  • 제조업체 부품 번호 :

    IS42S16160D-75ETLI

  • Pbfree 코드 :

    Yes

  • Rohs 코드 :

    Yes

  • 부품 수명주기 코드 :

    Obsolete

  • IHS 제조업체 :

    INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • 부품 패키지 코드 :

    TSOP2

  • 패키지 설명 :

    TSOP2, TSOP54,.46,32

  • 핀 수 :

    54

  • 규정 준수 코드 도달 :

    compliant

  • ECCN 코드 :

    EAR99

  • HTS 코드 :

    8542.32.00.24

  • 제조사 :

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 위험 등급 :

    5.6

  • 액세스 모드 :

    FOUR BANK PAGE BURST

  • 최대 액세스 시간 :

    5.5 ns

  • 추가 기능 :

    AUTO/SELF REFRESH

  • 최대 클럭 주파수 (fCLK) :

    133 MHz

  • I / O 유형 :

    COMMON

  • 인터리브 버스트 길이 :

    1,2,4,8

  • JESD-30 코드 :

    R-PDSO-G54

  • JESD-609 코드 :

    e3

  • 길이:

    22.22 mm

  • 메모리 밀도 :

    268435456 bit

  • 메모리 IC 유형 :

    SYNCHRONOUS DRAM

  • 메모리 폭 :

    16

  • 수분 감도 수준 :

    3

  • 기능 수 :

    1

  • 포트 수 :

    1

  • 터미널 수 :

    54

  • 단어 수 :

    16777216 words

  • 단어 수 코드 :

    16000000

  • 작동 모드 :

    SYNCHRONOUS

  • 작동 온도-최대 :

    85 °C

  • 작동 온도-최소 :

    -40 °C

  • 조직:

    16MX16

  • 출력 특성 :

    3-STATE

  • 패키지 본체 재질 :

    PLASTIC/EPOXY

  • 패키지 코드 :

    TSOP2

  • 패키지 등가 코드 :

    TSOP54,.46,32

  • 패키지 모양 :

    RECTANGULAR

  • 패키지 스타일 :

    SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

  • 최고 리플로 온도 (Cel) :

    260

  • 전원 공급 장치 :

    3.3 V

  • 자격 상태 :

    Not Qualified

  • 새로 고침주기 :

    8192

  • 최대 장착 높이 :

    1.2 mm

  • 자체 새로 고침 :

    YES

  • 순차 버스트 길이 :

    1,2,4,8,FP

  • 대기 전류-최대 :

    0.003 A

  • 하위 범주 :

    DRAMs

  • 최대 공급 전류 :

    0.18 mA

  • 최대 공급 전압 (Vsup) :

    3.6 V

  • 공급 전압-최소 (Vsup) :

    3 V

  • 공급 전압 -Nom (Vsup) :

    3.3 V

  • 표면 실장 :

    YES

  • 과학 기술:

    CMOS

  • 온도 등급 :

    INDUSTRIAL

  • 터미널 마감 :

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 터미널 형태 :

    GULL WING

  • 터미널 피치 :

    0.8 mm

  • 터미널 위치 :

    DUAL

  • Time @ Peak 리플로 온도-최대 (s) :

    10

  • 폭:

    10.16 mm

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Part # Manufacturer Description Stock Price
IS42S16160D-75ETLI DISTI # IS42S16160D-75ETLI-ND
Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP RoHS: Compliant Min Qty: 108 Container: Tray Limited Supply - Call  
IS42S16160D-75ETLI-TR DISTI # IS42S16160D-75ETLI-TR-ND
Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP RoHS: Compliant Min Qty: 1500 Container: Tape & Reel (TR) Limited Supply - Call  
Part # Manufacturer Description Stock Price
IS42S16160D-75ETLI DISTI # 870-42S16160D-75ETLI
Integrated Silicon Solution Inc DRAM 256M (32Mx8) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V RoHS: Compliant 0  
IS42S16160D-75ETLI-TR DISTI # 870-42S16160D75ETLIT
Integrated Silicon Solution Inc DRAM 256M (16Mx16) 133MHz SDRAM, 3.3v RoHS: Compliant 0  

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