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STB21NM60ND STMicroelectronics 승인 된 리소스 및 경쟁력있는 가격

  • STB21NM60ND - STMicroelectronics - IGBT 트랜지스터
  • STB21NM60ND - STMicroelectronics - IGBT 트랜지스터


이미지는 참조 용입니다
제품 사양 참조
부품 번호:
STB21NM60ND데이터 시트
Worldway모형:
STB21NM60ND-129034
제조사:
STMicroelectronics
범주:
IGBT 트랜지스터
응용:
통신 장비 데이터 통신 모듈 엔터프라이즈 시스템 데이터 센터 및 엔터프라이즈 컴퓨팅 개인 전자 제품 휴대용 전자 제품
기술:

MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

꾸러미:
D2-PAK
패키지 / 케이스:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
장치 패키지:
D2PAK
RoHS:
무연 / RoHS 준수
재고 카테고리:
재고
재고 자원:
공장 초과 재고 / 프랜차이즈 유통 업체
보증:
1 년 월드 웨이 보증 » 더 알아보기
EDA / CAD 모델:
STB21NM60ND PCB 풋 프린트 및 심볼
배달:
배달
화물 계산:
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STB21NM60ND(STMicroelectronics) 명세서
  • 제조업체 부품 번호 :

    STB21NM60ND

  • 상표명:

    STMicroelectronics

  • Rohs 코드 :

    Yes

  • 부품 수명주기 코드 :

    Obsolete

  • IHS 제조업체 :

    STMICROELECTRONICS

  • 부품 패키지 코드 :

    D2PAK

  • 패키지 설명 :

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • 핀 수 :

    4

  • 규정 준수 코드 도달 :

    not_compliant

  • ECCN 코드 :

    EAR99

  • 제조사 :

    STMicroelectronics

  • 위험 등급 :

    8.59

  • Samacsys 설명 :

    NULL

  • 눈사태 에너지 등급 (Eas) :

    610 mJ

  • 구성 :

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • DS 항복 전압-최소 :

    600 V

  • 최대 드레인 전류 (Abs) (ID) :

    17 A

  • 최대 드레인 전류 (ID) :

    17 A

  • 저항 최대의 드레인 소스 :

    0.22 Ω

  • FET 기술 :

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • JEDEC-95 코드 :

    TO-263AB

  • JESD-30 코드 :

    R-PSSO-G2

  • JESD-609 코드 :

    e3

  • 수분 감도 수준 :

    1

  • 요소 수 :

    1

  • 터미널 수 :

    2

  • 작동 모드 :

    ENHANCEMENT MODE

  • 작동 온도-최대 :

    150 °C

  • 패키지 본체 재질 :

    PLASTIC/EPOXY

  • 패키지 모양 :

    RECTANGULAR

  • 패키지 스타일 :

    SMALL OUTLINE

  • 최고 리플로 온도 (Cel) :

    245

  • 극성 / 채널 유형 :

    N-CHANNEL

  • 최대 전력 손실 (Abs) :

    140 W

  • 펄스 드레인 전류-최대 (IDM) :

    68 A

  • 자격 상태 :

    Not Qualified

  • 하위 범주 :

    FET General Purpose Power

  • 표면 실장 :

    YES

  • 터미널 마감 :

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 터미널 형태 :

    GULL WING

  • 터미널 위치 :

    SINGLE

  • Time @ Peak 리플로 온도-최대 (s) :

    30

  • 트랜지스터 응용 :

    SWITCHING

  • 트랜지스터 소자 재료 :

    SILICON

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Part # Manufacturer Description Stock Price
STB21NM60ND DISTI # 31332241
STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant 1000
  • 1000 $2.2365
Part # Manufacturer Description Stock Price
STB21NM60ND DISTI # 497-8471-1-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT) 2950
In Stock
  • 500 $4.4443
  • 100 $5.4884
  • 10 $6.6930
  • 1 $7.5000
STB21NM60ND DISTI # 497-8471-6-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel® 2950
In Stock
  • 500 $4.4443
  • 100 $5.4884
  • 10 $6.6930
  • 1 $7.5000
STB21NM60ND DISTI # 497-8471-2-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK RoHS: Compliant Min Qty: 1000 Container: Tape & Reel (TR) 2000
In Stock
  • 1000 $3.6390
Part # Manufacturer Description Stock Price
STB21NM60ND DISTI # 511-STB21NM60ND
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II RoHS: Compliant 0  
Part # Manufacturer Description Stock Price
STB21NM60ND DISTI # 2098128
STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600V, 17A, D2PAK RoHS: Compliant 0
  • 1 £6.4000
  • 10 £5.2400
  • 100 £4.2900
  • 250 £3.8900
  • 500 £3.4800

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재고
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19265
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유럽 / 미주 / 아시아
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